
隨著半導(dǎo)體器件向高功率、高頻率和高集成度方向快速發(fā)展,晶片在運(yùn)行過(guò)程中所產(chǎn)生的熱量日益增加,對(duì)封裝材料的熱管理性能提出了更高要求。在眾多封裝材料中,鉬銅合金(M…
隨著半導(dǎo)體器件向高功率、高頻率和高集成度方向快速發(fā)展,晶片在運(yùn)行過(guò)程中所產(chǎn)生的熱量日益增加,對(duì)封裝材料的熱管理性能提出了更高要求。在眾多封裝材料中,鉬銅合金(M…
鉬銅合金(Mo-Cu)是一種由高熔點(diǎn)、高強(qiáng)度的鉬和高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的銅複合而成的材料,常用於電子器件、功率模組、航空航太等高端領(lǐng)域的熱管理和結(jié)構(gòu)封裝。由於其獨(dú)特的…
鉬銅合金憑藉其高導(dǎo)熱性、低熱膨脹係數(shù)和優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性,在高功率電子器件散熱領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。通過(guò)優(yōu)化Mo-Cu比例、提高材料緻密度、採(cǎi)用梯度結(jié)構(gòu)、優(yōu)化介面…
航太電子設(shè)備需要在極端環(huán)境下運(yùn)行,如高溫、劇烈溫度變化、高真空、強(qiáng)輻射和振動(dòng)衝擊等。因此,對(duì)電子封裝材料提出了極高的要求,包括高導(dǎo)熱性、低熱膨脹係數(shù)(CTE)、…
高功率雷射器在工業(yè)加工、醫(yī)療設(shè)備、軍事應(yīng)用和光通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。然而,這類(lèi)雷射器在運(yùn)行過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,若散熱不及時(shí),可能導(dǎo)致雷射器性能下降、光束…
隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展,基站數(shù)量和功率密度大幅增加,特別是在高頻毫米波段,射頻(RF)模組的功率損耗顯著提升。由於射頻功放晶片在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量,如…
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET)因其高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換的特點(diǎn),在電力電子、通信設(shè)備、汽車(chē)電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,…
絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)是一種廣泛應(yīng)用於電力電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件,因其高效率、快速開(kāi)關(guān)特性和高耐壓能力,在工業(yè)自動(dòng)化、新能源汽車(chē)、軌道交通以及智慧電網(wǎng)等…
高功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色,廣泛應(yīng)用於新能源汽車(chē)、電力傳輸、工業(yè)控制、航空航太和通信設(shè)備等領(lǐng)域。然而,在高功率運(yùn)行環(huán)境下,這些半導(dǎo)…
鉬銅合金的具體性能受其成分配比的影響較大,不同的鉬銅配比會(huì)直接影響其熱學(xué)、機(jī)械和電學(xué)特性,從而影響電子封裝性能。 對(duì)熱學(xué)性能的影響 在電子封裝中,散熱性能至關(guān)重…