高純鎢靶材可以用於半導體等領域。在高純度鎢靶材的製備過程中，可採用電感耦合等離子質(zhì)譜法（ICP-MS）對高純鎢（W）粉的純度進行分析。而對最終製備的高純W靶材產(chǎn)品，一般採用輝光放電質(zhì)譜法（GDMS）進行直接分析。
高純W粉是製備高純鎢靶材的基礎原料。為製備高純和超純W粉，一般選用含U和Th低的仲鎢酸銨（APT）作原料，通過沉澱分離、溶劑萃取分離、離子交換分離等化學方法，去除APT中的大部分雜質(zhì)，如As、P、Si等；純化後的高純APT通過煆燒、還原等工藝過程，製備出高純W粉；制得的高純W粉可採用電子束熔煉、區(qū)域熔煉、真空脫氣處理等物理提純工藝，進一步脫除金屬鎢中雜質(zhì)，得到更高純度的高純W材料。高純W中痕量元素的測定是評價高純W性能的重要標準。在高純W的生產(chǎn)過程中，廠房內(nèi)應保持高度清潔，以減少產(chǎn)品中的雜質(zhì)。
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