6N鎢靶材指的是純度為6N的鎢靶材，首先是由一家日本公司研制出來的。經(jīng)高溫處理后，該類靶材材料具有良好的耐熱性和與氧化鉭的相容性，可用于取代二硅化鉬（MoSi2）和二硅化鎢（WSi2）作為布線材料。
由日本公司研制得到的6N鎢靶材的直徑為300mm，其中鈉和鉀的含量各低于10x10-9，鐵、鎳、鉻、銅、鋁的含量各低于200X10-9，鈾和釷的含量低于0.2X10-9，氧低于80X10-6，金屬雜質(zhì)總量低于1X10-6。
隨著半導體集成電路的集成度越來越高，半導體電路中晶體管和線路的尺寸越來越小，對所用的鎢等材料的純度要求也越來越高。大規(guī)格集成電路制造中所使用的純鎢靶材的純度要求達到99.999%（5N）以上，甚至達到99.999%（6N）。除了總雜質(zhì)含量要越低越好之外，金屬鎢中存在的個別雜質(zhì)元素對半導體集成電路也存在著不利的影響。因此必須對原材料中該類元素的含量進行控制。
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